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SAMSUNG 850 EVO

SAMSUNG 850 EVO

SAMSUNG
Artikel-Nr 0000974883
SAMSUNG 850 EVO
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SAMSUNG 850 EVO

SAMSUNG 850 EVO

SAMSUNG
Artikel-Nr 0000974883
  • AnwendungsbereichDesktop, Notebook, Privat und Büro 
  • TRIM UnterstützungJa 
  • Datenverschlüsselung256-bit AES 
  • 4K random read97000 IOPS
Dieser Artikel ist zur Zeit nicht lieferbar.
  • AnwendungsbereichDesktop, Notebook, Privat und Büro 
  • TRIM UnterstützungJa 
  • Datenverschlüsselung256-bit AES 
  • 4K random read97000 IOPS
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Produktdetails

SAMSUNG

Produktdetails

Produktmerkmale

Produkteigenschaften

AnwendungsbereichDesktop, Notebook, Privat und Büro
TRIM UnterstützungJa
Datenverschlüsselung256-bit AES
4K random read97000 IOPS
4K random write89000 IOPS
SMART UnterstützungJa
Cache512 MB
NAND-Speichertyp3D-V-NAND
Schreibrate500 MB/s
Leserate540 MB/s
Speicherkapazität120 GB
Speicher SchnittstelleM.2 B+M Key
ProdukttypIntern
Max. Datenübertragungrate600 MB/s

Produkteigenschaften

AnwendungsbereichDesktop, Notebook, Privat und Büro
TRIM UnterstützungJa
Datenverschlüsselung256-bit AES
4K random read97000 IOPS
4K random write89000 IOPS
SMART UnterstützungJa
Cache512 MB
NAND-Speichertyp3D-V-NAND
Schreibrate500 MB/s
Leserate540 MB/s
Speicherkapazität120 GB
Speicher SchnittstelleM.2 B+M Key
ProdukttypIntern
Max. Datenübertragungrate600 MB/s

SAMSUNG 850 EVO

Hersteller-Nr. MZ-N5E120BW

Produktbeschreibung

Die einzigartige und innovative 3D V-NAND-Flash-Speicher-Architektur von Samsung sprengt die Grenzen bezüglich Speicherdichte, Leistung und Lebensdauer, die für bisherige, planare NAND-Architektur gelten. Statt auf verkleinerte Zellen und Zellabstände zu setzen, die auf minimaler Fläche Platz finden, werden bei 3D V-NAND heute 32 Zellschichten übereinander angeordnet, was eine höhere Speicherdichte sowie mehr Leistung bei gleichzeitiger Flächenersparnis ermöglicht.
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Produktmerkmale

Produkteigenschaften

AnwendungsbereichDesktop, Notebook, Privat und Büro
TRIM UnterstützungJa
Datenverschlüsselung256-bit AES
4K random read97000 IOPS
4K random write89000 IOPS
SMART UnterstützungJa
Cache512 MB
NAND-Speichertyp3D-V-NAND
Schreibrate500 MB/s
Leserate540 MB/s
Speicherkapazität120 GB
Speicher SchnittstelleM.2 B+M Key
ProdukttypIntern
Max. Datenübertragungrate600 MB/s

Produkteigenschaften

AnwendungsbereichDesktop, Notebook, Privat und Büro
TRIM UnterstützungJa
Datenverschlüsselung256-bit AES
4K random read97000 IOPS
4K random write89000 IOPS
SMART UnterstützungJa
Cache512 MB
NAND-Speichertyp3D-V-NAND
Schreibrate500 MB/s
Leserate540 MB/s
Speicherkapazität120 GB
Speicher SchnittstelleM.2 B+M Key
ProdukttypIntern
Max. Datenübertragungrate600 MB/s

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