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SAMSUNG 850 Evo

SAMSUNG 850 Evo

SAMSUNG
Artikel-Nr 0000974884
SAMSUNG 850 Evo
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SAMSUNG 850 Evo

SAMSUNG
Artikel-Nr 0000974884
  • AnwendungsbereichDesktop, Notebook, Privat und Büro 
  • 4K random write89000 IOPS
  • 4K random read97000 IOPS
  • TRIM UnterstützungJa 
Lieferung auf Bestellung
08.12.2017 bei Abholung
08.12.2017 bei Heimlieferung
CHF104.60
  • 3 Jahre Garantie
  • Gratislieferung
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Produktdetails

SAMSUNG

Produktdetails

Produktbeschreibung

Die einzigartige und innovative 3D V-NAND-Flash-Speicher-Architektur von Samsung sprengt die Grenzen bezüglich Speicherdichte, Leistung und Lebensdauer, die für bisherige, planare NAND-Architektur gelten. Statt auf verkleinerte Zellen und Zellabstände zu setzen, die auf minimaler Fläche Platz finden, werden bei 3D V-NAND heute 32 Zellschichten übereinander angeordnet, was eine höhere Speicherdichte sowie mehr Leistung bei gleichzeitiger Flächenersparnis ermöglicht.

Produktmerkmale

Produkteigenschaften

AnwendungsbereichDesktop, Notebook, Privat und Büro
4K random write89000 IOPS
4K random read97000 IOPS
TRIM UnterstützungJa
Datenverschlüsselung256-bit AES
SMART UnterstützungJa
NAND-SpeichertypTLC
Speicher SchnittstelleM.2 B+M Key
Leserate540 MB/s
ProdukttypIntern
Schreibrate500 MB/s
Speicherkapazität250 GB
Max. Datenübertragungrate600 MB/s

Produkteigenschaften

AnwendungsbereichDesktop, Notebook, Privat und Büro
4K random write89000 IOPS
4K random read97000 IOPS
TRIM UnterstützungJa
Datenverschlüsselung256-bit AES
SMART UnterstützungJa
NAND-SpeichertypTLC
Speicher SchnittstelleM.2 B+M Key
Leserate540 MB/s
ProdukttypIntern
Schreibrate500 MB/s
Speicherkapazität250 GB
Max. Datenübertragungrate600 MB/s

SAMSUNG 850 Evo

Hersteller-Nr. MZ-N5E250BW

Produktbeschreibung

Die einzigartige und innovative 3D V-NAND-Flash-Speicher-Architektur von Samsung sprengt die Grenzen bezüglich Speicherdichte, Leistung und Lebensdauer, die für bisherige, planare NAND-Architektur gelten. Statt auf verkleinerte Zellen und Zellabstände zu setzen, die auf minimaler Fläche Platz finden, werden bei 3D V-NAND heute 32 Zellschichten übereinander angeordnet, was eine höhere Speicherdichte sowie mehr Leistung bei gleichzeitiger Flächenersparnis ermöglicht.
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Produktmerkmale

Produkteigenschaften

AnwendungsbereichDesktop, Notebook, Privat und Büro
4K random write89000 IOPS
4K random read97000 IOPS
TRIM UnterstützungJa
Datenverschlüsselung256-bit AES
SMART UnterstützungJa
NAND-SpeichertypTLC
Speicher SchnittstelleM.2 B+M Key
Leserate540 MB/s
ProdukttypIntern
Schreibrate500 MB/s
Speicherkapazität250 GB
Max. Datenübertragungrate600 MB/s

Produkteigenschaften

AnwendungsbereichDesktop, Notebook, Privat und Büro
4K random write89000 IOPS
4K random read97000 IOPS
TRIM UnterstützungJa
Datenverschlüsselung256-bit AES
SMART UnterstützungJa
NAND-SpeichertypTLC
Speicher SchnittstelleM.2 B+M Key
Leserate540 MB/s
ProdukttypIntern
Schreibrate500 MB/s
Speicherkapazität250 GB
Max. Datenübertragungrate600 MB/s