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SAMSUNG 850 Evo

SAMSUNG 850 Evo

SAMSUNG
Artikel-Nr 0000974889
SAMSUNG 850 Evo
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SAMSUNG 850 Evo

SAMSUNG
Artikel-Nr 0000974889
  • FarbeGrün 
  • AnwendungsbereichDesktop, Notebook, Privat und Büro 
  • 4K random write88000 IOPS
  • 4K random read97000 IOPS
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  • AnwendungsbereichDesktop, Notebook, Privat und Büro 
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  • 4K random read97000 IOPS
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Produktdetails

SAMSUNG

Produktdetails

Produktmerkmale

Produkteigenschaften

AnwendungsbereichDesktop, Notebook, Privat und Büro
4K random write88000 IOPS
4K random read97000 IOPS
TRIM UnterstützungJa
Datenverschlüsselung256-bit AES
SMART UnterstützungJa
NAND-Speichertyp3D-V-NAND
Speicher Schnittstellemini SATA (mSATA) und SATA-III
SpeichercontrollerSamsung MGX
Leserate540 MB/s
ProdukttypIntern
Schreibrate520 MB/s
Speicherkapazität120 GB
Max. Datenübertragungrate600 MB/s

Produkteigenschaften

AnwendungsbereichDesktop, Notebook, Privat und Büro
4K random write88000 IOPS
4K random read97000 IOPS
TRIM UnterstützungJa
Datenverschlüsselung256-bit AES
SMART UnterstützungJa
NAND-Speichertyp3D-V-NAND
Speicher Schnittstellemini SATA (mSATA) und SATA-III
SpeichercontrollerSamsung MGX
Leserate540 MB/s
ProdukttypIntern
Schreibrate520 MB/s
Speicherkapazität120 GB
Max. Datenübertragungrate600 MB/s

SAMSUNG 850 Evo

Hersteller-Nr. MZ-M5E120BW

Produktbeschreibung

Die einzigartige und innovative 3D V-NAND-Flash-Speicher-Architektur von Samsung sprengt die Grenzen bezüglich Speicherdichte, Leistung und Lebensdauer, die für bisherige, planare NAND-Architektur gelten. Statt auf verkleinerte Zellen und Zellabstände zu setzen, die auf minimaler Fläche Platz finden, werden bei 3D V-NAND heute 32 Zellschichten übereinander angeordnet, was eine höhere Speicherdichte sowie mehr Leistung bei gleichzeitiger Flächenersparnis ermöglicht.
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Produktmerkmale

Produkteigenschaften

AnwendungsbereichDesktop, Notebook, Privat und Büro
4K random write88000 IOPS
4K random read97000 IOPS
TRIM UnterstützungJa
Datenverschlüsselung256-bit AES
SMART UnterstützungJa
NAND-Speichertyp3D-V-NAND
Speicher Schnittstellemini SATA (mSATA) und SATA-III
SpeichercontrollerSamsung MGX
Leserate540 MB/s
ProdukttypIntern
Schreibrate520 MB/s
Speicherkapazität120 GB
Max. Datenübertragungrate600 MB/s

Produkteigenschaften

AnwendungsbereichDesktop, Notebook, Privat und Büro
4K random write88000 IOPS
4K random read97000 IOPS
TRIM UnterstützungJa
Datenverschlüsselung256-bit AES
SMART UnterstützungJa
NAND-Speichertyp3D-V-NAND
Speicher Schnittstellemini SATA (mSATA) und SATA-III
SpeichercontrollerSamsung MGX
Leserate540 MB/s
ProdukttypIntern
Schreibrate520 MB/s
Speicherkapazität120 GB
Max. Datenübertragungrate600 MB/s

Stromversorgung

Eingangsleistung3.3 W
Eingangsleistung Standby0.05 W

Allgemein

FarbeGrün