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SAMSUNG 850 EVO 500 GB Serial ATA III

SAMSUNG 850 EVO 500 GB Serial ATA III

SAMSUNG
Artikel-Nr 0000982621
SAMSUNG 850 EVO 500 GB Serial ATA III
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Artikel-Nr 0000982621
  • FarbeSchwarz 
  • Höhe0.68 cm
  • Breite6.98 cm
  • TRIM UnterstützungJa 
Lieferung voraussichtlich
25.09.2017 bei Abholung
25.09.2017 bei Heimlieferung
CHF193.20
  • 2 Jahre Garantie
  • Gratislieferung
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  • 2 Jahre Garantie
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  • 2 Jahre Garantie
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Produktdetails

SAMSUNG

Produktdetails

Produktbeschreibung

Was ist 3D V-NAND und wie unterscheidet es sich von der bisherigen Speichertechnologie? Die einzigartige und innovative 3D V-NAND-Flash-Speicher-Architektur von Samsung überwindet die bei planarer NAND-Architektur vorhandenen Grenzen hinsichtlich Speicherdichte, Leistung und Lebensdauer. Statt auf verkleinerte Zellen und Zellabstände zu setzen, die auf minimaler Fläche Platz finden, werden bei 3D V-NAND heute 32 Zellschichten übereinander angeordnet, was eine höhere Speicherdichte sowie mehr Leistung bei gleichzeitigen Einsparungen bei der genutzten Fläche ermöglicht. Optimieren Sie mit der 850 EVO die tägliche Arbeit am Computer mit der unerreichten Lese- und Schreibgeschwindigkeit der TurboWrite-Technologie. Erleben Sie täglich ein Maximum an Lese- und Schreibleistung mit Samsungs TurboWrite-Technologie. Neben einer um mehr als 10 % höheren Gesamtleistung gegenüber der 840 EVO* sind zufällige Schreibzugriffe bei den Modellen mit 120 und 250 GB** 1,9 Mal so schnell. Die 850 EVO bietet im Vergleich zu ähnlichen Produkten von Mitbewerbern eine überlegene Leistung beim Lesen (540 MB/s) und Schreiben (520 MB/s). Darüber hinaus erhalten Sie eine für Client-PCs optimierte Leistung bei zufälligen Zugriffen über alle Kommandotiefen (Queue Depth) hinweg. *PCmark7 (250 GB): 6.700 (840 EVO) > 7.600 (850 EVO). **Direktes Schreiben (QD32, 120 GB): 36.000 IOPS (840 EVO) > 88.000 IOPS (850 EVO). Gehen Sie mit dem verbesserten RAPID-Modus auf die Überholspur. Verbessern Sie mit der Samsung Magician Software jederzeit die Leistung. Sie bietet den RAPID-Modus, die den Arbeitsspeicher (DRAM) des PCs als zusätzlichen Zwischenspeicher verwendet und so die Transferraten nochmals erheblich steigert. Mit der neuen Samsung Magician Software steigt die mögliche Arbeitsspeichernutzung im RAPID-Modus von 1 GB in der vorigen Version auf bis zu 4 GB, wenn im Computer 16 GB DRAM zur Verfügung stehen. Darüber hinaus erhalten Sie eine verdoppelte Leistung* bei zufälligen Zugriffen über alle Kommandotiefen hinweg. Arbeiten Sie länger - Dank der erhöhten Energieeffizienz durch 3D V-NAND. Die 850 EVO erzielt auf Notebooks längere Akkulaufzeiten dank des für 3D V-NAND optimierten SSD-Controllers, der Device Sleep (DEVSLP) unterstützt. Hierbei benötigt die SSD 850 EVO nur 2 mW an Leistung. Die 850 EVO spart ausserdem bei Schreibzugriffen* etwa 25 % Energie im Vergleich zur 840 EVO, da 3D V-NAND nur etwa halb so viel Energie wie planares 2D NAND benötigt. *Energie (250 GB): 3,2 Watt (840 EVO) > 2,4 Watt (850 EVO).
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Produktmerkmale

Produkteigenschaften

TRIM UnterstützungJa
Datenverschlüsselung256-bit AES
Betriebstemperatur0 und 70 ˚C
4K random read98000 IOPS
4K random write90000 IOPS
Cache512 MB
Schreibrate520 MB/s
Leserate540 MB/s
Speicherkapazität500 GB
Speicher SchnittstelleSATA-III
Speicher Formfaktor2.5 ''
ProdukttypExtern

Produkteigenschaften

TRIM UnterstützungJa
Datenverschlüsselung256-bit AES
Betriebstemperatur0 und 70 ˚C
4K random read98000 IOPS
4K random write90000 IOPS
Cache512 MB
Schreibrate520 MB/s
Leserate540 MB/s
Speicherkapazität500 GB
Speicher SchnittstelleSATA-III
Speicher Formfaktor2.5 ''
ProdukttypExtern

SAMSUNG 850 EVO 500 GB Serial ATA III

Hersteller-Nr. MZ-75E500RW

Produktbeschreibung

Was ist 3D V-NAND und wie unterscheidet es sich von der bisherigen Speichertechnologie? Die einzigartige und innovative 3D V-NAND-Flash-Speicher-Architektur von Samsung überwindet die bei planarer NAND-Architektur vorhandenen Grenzen hinsichtlich Speicherdichte, Leistung und Lebensdauer. Statt auf verkleinerte Zellen und Zellabstände zu setzen, die auf minimaler Fläche Platz finden, werden bei 3D V-NAND heute 32 Zellschichten übereinander angeordnet, was eine höhere Speicherdichte sowie mehr Leistung bei gleichzeitigen Einsparungen bei der genutzten Fläche ermöglicht. Optimieren Sie mit der 850 EVO die tägliche Arbeit am Computer mit der unerreichten Lese- und Schreibgeschwindigkeit der TurboWrite-Technologie. Erleben Sie täglich ein Maximum an Lese- und Schreibleistung mit Samsungs TurboWrite-Technologie. Neben einer um mehr als 10 % höheren Gesamtleistung gegenüber der 840 EVO* sind zufällige Schreibzugriffe bei den Modellen mit 120 und 250 GB** 1,9 Mal so schnell. Die 850 EVO bietet im Vergleich zu ähnlichen Produkten von Mitbewerbern eine überlegene Leistung beim Lesen (540 MB/s) und Schreiben (520 MB/s). Darüber hinaus erhalten Sie eine für Client-PCs optimierte Leistung bei zufälligen Zugriffen über alle Kommandotiefen (Queue Depth) hinweg. *PCmark7 (250 GB): 6.700 (840 EVO) > 7.600 (850 EVO). **Direktes Schreiben (QD32, 120 GB): 36.000 IOPS (840 EVO) > 88.000 IOPS (850 EVO). Gehen Sie mit dem verbesserten RAPID-Modus auf die Überholspur. Verbessern Sie mit der Samsung Magician Software jederzeit die Leistung. Sie bietet den RAPID-Modus, die den Arbeitsspeicher (DRAM) des PCs als zusätzlichen Zwischenspeicher verwendet und so die Transferraten nochmals erheblich steigert. Mit der neuen Samsung Magician Software steigt die mögliche Arbeitsspeichernutzung im RAPID-Modus von 1 GB in der vorigen Version auf bis zu 4 GB, wenn im Computer 16 GB DRAM zur Verfügung stehen. Darüber hinaus erhalten Sie eine verdoppelte Leistung* bei zufälligen Zugriffen über alle Kommandotiefen hinweg. Arbeiten Sie länger - Dank der erhöhten Energieeffizienz durch 3D V-NAND. Die 850 EVO erzielt auf Notebooks längere Akkulaufzeiten dank des für 3D V-NAND optimierten SSD-Controllers, der Device Sleep (DEVSLP) unterstützt. Hierbei benötigt die SSD 850 EVO nur 2 mW an Leistung. Die 850 EVO spart ausserdem bei Schreibzugriffen* etwa 25 % Energie im Vergleich zur 840 EVO, da 3D V-NAND nur etwa halb so viel Energie wie planares 2D NAND benötigt. *Energie (250 GB): 3,2 Watt (840 EVO) > 2,4 Watt (850 EVO).
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Produktmerkmale

Produkteigenschaften

TRIM UnterstützungJa
Datenverschlüsselung256-bit AES
Betriebstemperatur0 und 70 ˚C
4K random read98000 IOPS
4K random write90000 IOPS
Cache512 MB
Schreibrate520 MB/s
Leserate540 MB/s
Speicherkapazität500 GB
Speicher SchnittstelleSATA-III
Speicher Formfaktor2.5 ''
ProdukttypExtern

Produkteigenschaften

TRIM UnterstützungJa
Datenverschlüsselung256-bit AES
Betriebstemperatur0 und 70 ˚C
4K random read98000 IOPS
4K random write90000 IOPS
Cache512 MB
Schreibrate520 MB/s
Leserate540 MB/s
Speicherkapazität500 GB
Speicher SchnittstelleSATA-III
Speicher Formfaktor2.5 ''
ProdukttypExtern

Stromversorgung

StromversorgungNetzbetrieb
Eingangsleistung0.1 W
Eingangsleistung Standby0.045 W

Allgemein

FarbeSchwarz

Abmasse

Höhe0.68 cm
Breite6.98 cm
Tiefe10 cm
Gewicht45 g

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