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SAMSUNG 850 EVO Basic 250 GB SATA III 2.5"

SAMSUNG
Artikel-Nr 0000959779
SAMSUNG 850 EVO Basic 250 GB SATA III 2.5"
SAMSUNG 850 EVO Basic 250 GB SATA III 2.5"
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SAMSUNG 850 EVO Basic 250 GB SATA III 2.5"

SAMSUNG
Artikel-Nr 0000959779
  • ProdukttypIntern 
  • Speicherkapazität250 GB
  • Speicher SchnittstelleSATA-III 
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  • Speicherkapazität250 GB
  • Speicher SchnittstelleSATA-III 
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Produktdetails

SAMSUNG

Produktdetails

Produktbeschreibung

Die einzigartige und innovative 3D V-NAND-Flash-Speicher-Architektur von Samsung sprengt die Grenzen bezüglich Speicherdichte, Leistung und Lebensdauer, die für bisherige, planare NAND-Architektur gelten. Statt auf verkleinerte Zellen und Zellabstände zu setzen, die auf minimaler Fläche Platz finden, werden bei 3D V-NAND heute 32 Zellschichten übereinander angeordnet, was eine höhere Speicherdichte sowie mehr Leistung bei gleichzeitiger Flächenersparnis ermöglicht.

Produktmerkmale

Produkteigenschaften

AnwendungsbereichDesktop, Notebook, Privat und Büro
4K random write88000 IOPS
Betriebstemperatur0 und 70 ˚C
TRIM UnterstützungJa
4K random read97000 IOPS
Datenverschlüsselung256-bit AES
Cache512 MB
SMART UnterstützungJa
NAND-Speichertyp3D-V-NAND
Schreibrate520 MB/s
Speicher SchnittstelleSATA-III
Leserate540 MB/s
Speicher Formfaktor2.5 "
ProdukttypIntern
Speicherkapazität250 GB

Produkteigenschaften

AnwendungsbereichDesktop, Notebook, Privat und Büro
4K random write88000 IOPS
Betriebstemperatur0 und 70 ˚C
TRIM UnterstützungJa
4K random read97000 IOPS
Datenverschlüsselung256-bit AES
Cache512 MB
SMART UnterstützungJa
NAND-Speichertyp3D-V-NAND
Schreibrate520 MB/s
Speicher SchnittstelleSATA-III
Leserate540 MB/s
Speicher Formfaktor2.5 "
ProdukttypIntern
Speicherkapazität250 GB

SAMSUNG 850 EVO Basic 250 GB SATA III 2.5"

Hersteller-Nr. MZ-75E250B/EU

Produktbeschreibung

Die einzigartige und innovative 3D V-NAND-Flash-Speicher-Architektur von Samsung sprengt die Grenzen bezüglich Speicherdichte, Leistung und Lebensdauer, die für bisherige, planare NAND-Architektur gelten. Statt auf verkleinerte Zellen und Zellabstände zu setzen, die auf minimaler Fläche Platz finden, werden bei 3D V-NAND heute 32 Zellschichten übereinander angeordnet, was eine höhere Speicherdichte sowie mehr Leistung bei gleichzeitiger Flächenersparnis ermöglicht.
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Produktmerkmale

Produkteigenschaften

AnwendungsbereichDesktop, Notebook, Privat und Büro
4K random write88000 IOPS
Betriebstemperatur0 und 70 ˚C
TRIM UnterstützungJa
4K random read97000 IOPS
Datenverschlüsselung256-bit AES
Cache512 MB
SMART UnterstützungJa
NAND-Speichertyp3D-V-NAND
Schreibrate520 MB/s
Speicher SchnittstelleSATA-III
Leserate540 MB/s
Speicher Formfaktor2.5 "
ProdukttypIntern
Speicherkapazität250 GB

Produkteigenschaften

AnwendungsbereichDesktop, Notebook, Privat und Büro
4K random write88000 IOPS
Betriebstemperatur0 und 70 ˚C
TRIM UnterstützungJa
4K random read97000 IOPS
Datenverschlüsselung256-bit AES
Cache512 MB
SMART UnterstützungJa
NAND-Speichertyp3D-V-NAND
Schreibrate520 MB/s
Speicher SchnittstelleSATA-III
Leserate540 MB/s
Speicher Formfaktor2.5 "
ProdukttypIntern
Speicherkapazität250 GB

Stromversorgung

Eingangsleistung Standby0.002 W

Allgemein

FarbeSchwarz

Abmasse

Höhe69.85 mm
Breite100 mm
Tiefe6.8 mm
Gewicht55 g

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