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SAMSUNG 850 Evo

SAMSUNG
N° d’article 0000974884
SAMSUNG 850 Evo
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SAMSUNG
N° d’article 0000974884
  • Champ d'applicationDesktop, Notebook, Privé et Bureau 
  • 4K random write89000 IOPS
  • 4K random read97000 IOPS
  • Support TRIMOui 
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Détails du produit

SAMSUNG

Détails du produit

Description du produit

Die einzigartige und innovative 3D V-NAND-Flash-Speicher-Architektur von Samsung sprengt die Grenzen bezüglich Speicherdichte, Leistung und Lebensdauer, die für bisherige, planare NAND-Architektur gelten. Statt auf verkleinerte Zellen und Zellabstände zu setzen, die auf minimaler Fläche Platz finden, werden bei 3D V-NAND heute 32 Zellschichten übereinander angeordnet, was eine höhere Speicherdichte sowie mehr Leistung bei gleichzeitiger Flächenersparnis ermöglicht.

Caractéristiques du produit

Propriétés produit

Champ d'applicationDesktop, Notebook, Privé et Bureau
4K random write89000 IOPS
4K random read97000 IOPS
Support TRIMOui
Algorithme sécurité256-bit AES
Support SMARTOui
Type mémoire NANDTLC
Interface mémoireM.2 B+M Key
Vitesse lecture540 MB/s
Type de produitInterne
Vitesse écriture500 MB/s
Capacité mémoire250 GB
Débit de transmission max.600 MB/s

Propriétés produit

Champ d'applicationDesktop, Notebook, Privé et Bureau
4K random write89000 IOPS
4K random read97000 IOPS
Support TRIMOui
Algorithme sécurité256-bit AES
Support SMARTOui
Type mémoire NANDTLC
Interface mémoireM.2 B+M Key
Vitesse lecture540 MB/s
Type de produitInterne
Vitesse écriture500 MB/s
Capacité mémoire250 GB
Débit de transmission max.600 MB/s

SAMSUNG 850 Evo

N° de fabricant MZ-N5E250BW

Description du produit

Die einzigartige und innovative 3D V-NAND-Flash-Speicher-Architektur von Samsung sprengt die Grenzen bezüglich Speicherdichte, Leistung und Lebensdauer, die für bisherige, planare NAND-Architektur gelten. Statt auf verkleinerte Zellen und Zellabstände zu setzen, die auf minimaler Fläche Platz finden, werden bei 3D V-NAND heute 32 Zellschichten übereinander angeordnet, was eine höhere Speicherdichte sowie mehr Leistung bei gleichzeitiger Flächenersparnis ermöglicht.
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Caractéristiques du produit

Propriétés produit

Champ d'applicationDesktop, Notebook, Privé et Bureau
4K random write89000 IOPS
4K random read97000 IOPS
Support TRIMOui
Algorithme sécurité256-bit AES
Support SMARTOui
Type mémoire NANDTLC
Interface mémoireM.2 B+M Key
Vitesse lecture540 MB/s
Type de produitInterne
Vitesse écriture500 MB/s
Capacité mémoire250 GB
Débit de transmission max.600 MB/s

Propriétés produit

Champ d'applicationDesktop, Notebook, Privé et Bureau
4K random write89000 IOPS
4K random read97000 IOPS
Support TRIMOui
Algorithme sécurité256-bit AES
Support SMARTOui
Type mémoire NANDTLC
Interface mémoireM.2 B+M Key
Vitesse lecture540 MB/s
Type de produitInterne
Vitesse écriture500 MB/s
Capacité mémoire250 GB
Débit de transmission max.600 MB/s

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