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SSD Samsung 850 EVO, 500GB, M.2, Basic S

SAMSUNG
N° d’article 0000974885
SSD Samsung 850 EVO, 500GB, M.2, Basic S
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SSD Samsung 850 EVO, 500GB, M.2, Basic S
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SSD Samsung 850 EVO, 500GB, M.2, Basic S

SAMSUNG
N° d’article 0000974885
  • Type de produitInterne
  • Capacité mémoire500GB
  • Interface mémoireM.2 B+M Key et SATA-III
  • Champ d'applicationDesktop, Notebook, Privé et Bureau
Cet article ne peut pas être livré actuellement.
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  • Capacité mémoire500GB
  • Interface mémoireM.2 B+M Key et SATA-III
  • Champ d'applicationDesktop, Notebook, Privé et Bureau
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Détails du produit

SAMSUNG

Détails du produit

Description du produit

Die einzigartige und innovative 3D V-NAND-Flash-Speicher-Architektur von Samsung sprengt die Grenzen bezüglich Speicherdichte, Leistung und Lebensdauer, die für bisherige, planare NAND-Architektur gelten. Statt auf verkleinerte Zellen und Zellabstände zu setzen, die auf minimaler Fläche Platz finden, werden bei 3D V-NAND heute 32 Zellschichten übereinander angeordnet, was eine höhere Speicherdichte sowie mehr Leistung bei gleichzeitiger Flächenersparnis ermöglicht.

Caractéristiques du produit

Propriétés produit

Type de produitInterne
Champ d'applicationDesktop, Notebook, Privé et Bureau
Capacité mémoire500 GB
Interface mémoireM.2 B+M Key et SATA-III
Vitesse lecture540 MB/s
Vitesse écriture500 MB/s
Type mémoire NANDTLC
4K random read97000 IOPS
4K random write89000 IOPS
Support SMARTOui
Support TRIMOui
Algorithme sécurité256-bit AES

Propriétés produit

Type de produitInterne
Champ d'applicationDesktop, Notebook, Privé et Bureau
Capacité mémoire500 GB
Interface mémoireM.2 B+M Key et SATA-III
Vitesse lecture540 MB/s
Vitesse écriture500 MB/s
Type mémoire NANDTLC
4K random read97000 IOPS
4K random write89000 IOPS
Support SMARTOui
Support TRIMOui
Algorithme sécurité256-bit AES

SSD Samsung 850 EVO, 500GB, M.2, Basic S

N° de fabricant MZ-N5E500BW

Description du produit

Die einzigartige und innovative 3D V-NAND-Flash-Speicher-Architektur von Samsung sprengt die Grenzen bezüglich Speicherdichte, Leistung und Lebensdauer, die für bisherige, planare NAND-Architektur gelten. Statt auf verkleinerte Zellen und Zellabstände zu setzen, die auf minimaler Fläche Platz finden, werden bei 3D V-NAND heute 32 Zellschichten übereinander angeordnet, was eine höhere Speicherdichte sowie mehr Leistung bei gleichzeitiger Flächenersparnis ermöglicht.
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Caractéristiques du produit

Propriétés produit

Type de produitInterne
Champ d'applicationDesktop, Notebook, Privé et Bureau
Capacité mémoire500 GB
Interface mémoireM.2 B+M Key et SATA-III
Vitesse lecture540 MB/s
Vitesse écriture500 MB/s
Type mémoire NANDTLC
4K random read97000 IOPS
4K random write89000 IOPS
Support SMARTOui
Support TRIMOui
Algorithme sécurité256-bit AES

Propriétés produit

Type de produitInterne
Champ d'applicationDesktop, Notebook, Privé et Bureau
Capacité mémoire500 GB
Interface mémoireM.2 B+M Key et SATA-III
Vitesse lecture540 MB/s
Vitesse écriture500 MB/s
Type mémoire NANDTLC
4K random read97000 IOPS
4K random write89000 IOPS
Support SMARTOui
Support TRIMOui
Algorithme sécurité256-bit AES

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