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SSD Samsung 850 EVO, 500GB, M.2, Basic S

SAMSUNG
N° d’article 0000974885
SSD Samsung 850 EVO, 500GB, M.2, Basic S
SSD Samsung 850 EVO, 500GB, M.2, Basic S
SSD Samsung 850 EVO, 500GB, M.2, Basic S
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SAMSUNG
N° d’article 0000974885
  • Champ d'applicationDesktop, Notebook, Privé et Bureau 
  • 4K random write89000 IOPS
  • 4K random read97000 IOPS
  • Support TRIMOui 
Date de livraison prévisionnelle
27.04.2018 lors du retrait
27.04.2018 lors de la livraison à domicile
CHF150.75
  • 3 Années Garantie
  • Livraison gratuite
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Détails du produit

SAMSUNG

Détails du produit

Description du produit

Die einzigartige und innovative 3D V-NAND-Flash-Speicher-Architektur von Samsung sprengt die Grenzen bezüglich Speicherdichte, Leistung und Lebensdauer, die für bisherige, planare NAND-Architektur gelten. Statt auf verkleinerte Zellen und Zellabstände zu setzen, die auf minimaler Fläche Platz finden, werden bei 3D V-NAND heute 32 Zellschichten übereinander angeordnet, was eine höhere Speicherdichte sowie mehr Leistung bei gleichzeitiger Flächenersparnis ermöglicht.

Caractéristiques du produit

Propriétés produit

Champ d'applicationDesktop, Notebook, Privé et Bureau
4K random write89000 IOPS
4K random read97000 IOPS
Support TRIMOui
Algorithme sécurité256-bit AES
Support SMARTOui
Type mémoire NANDTLC
Interface mémoireM.2 B+M Key et SATA-III
Vitesse lecture540 MB/s
Type de produitInterne
Vitesse écriture500 MB/s
Capacité mémoire500 GB

Propriétés produit

Champ d'applicationDesktop, Notebook, Privé et Bureau
4K random write89000 IOPS
4K random read97000 IOPS
Support TRIMOui
Algorithme sécurité256-bit AES
Support SMARTOui
Type mémoire NANDTLC
Interface mémoireM.2 B+M Key et SATA-III
Vitesse lecture540 MB/s
Type de produitInterne
Vitesse écriture500 MB/s
Capacité mémoire500 GB

SSD Samsung 850 EVO, 500GB, M.2, Basic S

N° de fabricant MZ-N5E500BW

Description du produit

Die einzigartige und innovative 3D V-NAND-Flash-Speicher-Architektur von Samsung sprengt die Grenzen bezüglich Speicherdichte, Leistung und Lebensdauer, die für bisherige, planare NAND-Architektur gelten. Statt auf verkleinerte Zellen und Zellabstände zu setzen, die auf minimaler Fläche Platz finden, werden bei 3D V-NAND heute 32 Zellschichten übereinander angeordnet, was eine höhere Speicherdichte sowie mehr Leistung bei gleichzeitiger Flächenersparnis ermöglicht.
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Caractéristiques du produit

Propriétés produit

Champ d'applicationDesktop, Notebook, Privé et Bureau
4K random write89000 IOPS
4K random read97000 IOPS
Support TRIMOui
Algorithme sécurité256-bit AES
Support SMARTOui
Type mémoire NANDTLC
Interface mémoireM.2 B+M Key et SATA-III
Vitesse lecture540 MB/s
Type de produitInterne
Vitesse écriture500 MB/s
Capacité mémoire500 GB

Propriétés produit

Champ d'applicationDesktop, Notebook, Privé et Bureau
4K random write89000 IOPS
4K random read97000 IOPS
Support TRIMOui
Algorithme sécurité256-bit AES
Support SMARTOui
Type mémoire NANDTLC
Interface mémoireM.2 B+M Key et SATA-III
Vitesse lecture540 MB/s
Type de produitInterne
Vitesse écriture500 MB/s
Capacité mémoire500 GB

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